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CGH40045
45 W, RF Power GaN HEMT
Cree’s CGH40045 is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron
mobility transistor (HEMT). The CGH40045, operating from a 28 volt
rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF
and microwave applications. GaN HEMTs offer high effciency, high
gain and wide bandwidth capabilities making the CGH40045 ideal
for linear and compressed amplifer circuits. The transistor is
available in a fange and pill package.
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FEATURES
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Up to 4 GHz Operation
?
16 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
?
12 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz
?
55 W Typical PSAT
?
55 % Effciency at PSAT
?
28 V Operation
APPLICATIONS
?
2-Way Private Radio
?
Broadband Amplifers
?
Cellular Infrastructure
?
Test Instrumentation
?
Class A, AB, Linear amplifers suitable
for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA
waveforms
Package Types: 440193 & 440206
PN’s: CGH40045F & CGH40045P
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